第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战

• 作者: 何亮 刘扬
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 Si衬底上GaN功率电子器件 GaN MOSFET器件 产业化
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 1-13
• 页数: 13页
• 分类号: O472.4
• 字数: 6457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.1

摘要

氮化镓（GaN）材料具有优异的物理特性，非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件，具有十分广阔的市场前景。 Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线，其中结型栅结构（p型栅）和共源共栅级联结构（Cascode）的常关型器件已经逐步实现产业化，并在通用电源及光伏逆变等领域得到应用。但是鉴于以上两种器件结构存在的缺点，业界更加期待能更充分发挥GaN性能的“真”常关MOSFET器件。而GaN MOSFET器件的全面实用化，仍然面临着在材料外延方面和器件稳定性方面的挑战。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何亮	中山大学电子与信息工程学院	2	31	2.0	2.0
5	刘扬	中山大学电子与信息工程学院	22	66	4.0	7.0