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第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
作者:
何亮
刘扬
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
氮化镓
Si衬底上GaN功率电子器件
GaN MOSFET器件
产业化
摘要:
氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。 Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实现产业化,并在通用电源及光伏逆变等领域得到应用。但是鉴于以上两种器件结构存在的缺点,业界更加期待能更充分发挥GaN性能的“真”常关MOSFET器件。而GaN MOSFET器件的全面实用化,仍然面临着在材料外延方面和器件稳定性方面的挑战。
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氮化镓
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文献信息
篇名
第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
来源期刊
电源学报
学科
物理学
关键词
氮化镓
Si衬底上GaN功率电子器件
GaN MOSFET器件
产业化
年,卷(期)
2016,(4)
所属期刊栏目
宽禁带功率电子器件及其应用专辑
研究方向
页码范围
1-13
页数
13页
分类号
O472.4
字数
6457字
语种
中文
DOI
10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.1
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
何亮
中山大学电子与信息工程学院
2
31
2.0
2.0
5
刘扬
中山大学电子与信息工程学院
22
66
4.0
7.0
传播情况
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引文网络
引文网络
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二级引证文献(0)
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2020(9)
引证文献(5)
二级引证文献(4)
研究主题发展历程
节点文献
氮化镓
Si衬底上GaN功率电子器件
GaN MOSFET器件
产业化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源学报
主办单位:
中国电源学会国家海洋技术中心
出版周期:
双月刊
ISSN:
2095-2805
CN:
12-1420/TM
开本:
大16开
出版地:
天津市南开区黄河道467号大通大厦16层
邮发代号:
创刊时间:
2002
语种:
chi
出版文献量(篇)
1407
总下载数(次)
6
总被引数(次)
6404
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