ST推出新款超结MOSFET和全球首款1500VTO-220FP宽爬电间距封装功率晶体管

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 功率晶体管 MOSFET 封装 间距 爬电 ST 意法半导体 放电现象
• 年，卷（期）: bdtxx_2016,（4）
• 页码范围: 18-19
• 页数: 2页
• 分类号: TN323.4

摘要

意法半导体（ST Microelectronics，简称ST）推出一系列采用TO-220 Full—PAK（TO-220FP）宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。电视和PC等设备常用的开放式电源表面很容易聚集尘土和粉尘，导致功率晶体管引脚之间产生高压电弧放电现象，TO-220FP宽爬电间距封装是这类应用功率晶体管的理想选择。