瞬态抑制二极管(TVS)的试验分析与应用

• 作者: 周中山 张云峰 陈云帆
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 关键词: 瞬态抑制二极管 启动电压 残压 通流 残压比
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 避雷器
• 页码范围: 58-63,69
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.16188/j.isa.1003-8337.2016.03.011

摘要

针对雷电瞬时过电压对精密电子设备的性能所带来的干扰及破坏等问题,通过对瞬态抑制二极管的原理进行分析,并对10种不同启动电压的瞬态抑制二极管进行雷电模拟冲击试验,利用示波器采集残压及通流的数据,计算瞬态抑制二极管的残压比.试验结果得出:瞬态抑制二极管两端施加的冲击电压越高,其两端残压及通流也将越大;且冲击电压和瞬态抑制二极管的残压比呈正相关;随着瞬态抑制二极管启动电压的增大,瞬态抑制二极管能够正常工作的雷电冲击电压值变化区间在不断减小.当瞬态抑制二极管损坏时,其内部PN结损坏,导致其两端残压与通流波形发生畸变,且残压比发生不规则变化.