功率MOSFET器件栅电荷测试与分析

• 作者: 张文涛 皓月兰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 场效应晶体管 栅电荷 测试 可靠性
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 21-23
• 页数: 3页
• 分类号: TN307
• 字数: 1498字
• 语种: 中文

摘要

栅电荷是表征功率MOSFET器件动态特性的重要参数之一,其测试结果与时间和频率有关,受分布参数、测试央具和电路结构等因素影响较大.其参数直接影响器件整体性能,设计不好将导致器件没使用时已击穿甚至损坏,在军用功率MOSFET器件研制生产和使用验收中列为必测参数.随着对MOSFET器件可靠性要求的不断提高,栅电荷的测试重要性凸显.针对目前国内外栅电荷测试现状及存在的问题做了详尽阐述,为国内的栅电荷测试提供一定的参考和指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文涛		6	4	1.0	2.0
2	皓月兰		1	3	1.0	1.0