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摘要:
采用坩埚下降法生长了Dy3+掺杂浓度分别为0.1 mol%、0.2mol%、0.3mol%、2mol%、3mo1%和4mol%的Bi4Si3O12(BSO)晶体.发现高浓度(2mol%以上)掺杂能够显著改变BSO晶体的析晶行为,晶体表面析出物完全消失,顶部呈现光滑结晶面;低浓度(低于0.3mol%)掺杂能够显著提高晶体的光输出,最高可达纯BSO的145%.晶体热释光谱测试结果表明:少量Dy3+掺杂虽然热释光峰略有增强,但有利于晶体光产额的提高;高浓度掺杂则容易引起晶格畸变,甚至产生新的缺陷,降低晶体的光产额.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Dy3+掺杂Bi4Si3O12晶体生长及其热释光特性
来源期刊 无机材料学报 学科 工学
关键词 硅酸铋 晶体生长 Dy3+掺杂 热释光 光产额
年,卷(期) 2016,(10) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1068-1072
页数 5页 分类号 TQ174
字数 3079字 语种 中文
DOI 10.15541/jim20160221
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张彦 上海应用技术大学材料科学与工程学院 14 24 3.0 3.0
2 徐家跃 上海应用技术大学材料科学与工程学院 87 198 6.0 9.0
3 申慧 上海应用技术大学材料科学与工程学院 24 34 3.0 4.0
4 田甜 上海应用技术大学材料科学与工程学院 26 23 3.0 3.0
5 杨波波 上海应用技术大学材料科学与工程学院 12 28 4.0 4.0
6 储耀卿 上海应用技术大学材料科学与工程学院 6 10 2.0 3.0
7 汪美玲 上海应用技术大学材料科学与工程学院 2 5 1.0 2.0
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晶体生长
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热释光
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期刊影响力
无机材料学报
月刊
1000-324X
31-1363/TQ
16开
上海市定西路1295号
4-504
1986
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
总被引数(次)
61689
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