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Dy3+掺杂Bi4Si3O12晶体生长及其热释光特性
Dy3+掺杂Bi4Si3O12晶体生长及其热释光特性
作者:
储耀卿
张彦
徐家跃
杨波波
汪美玲
田甜
申慧
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
硅酸铋
晶体生长
Dy3+掺杂
热释光
光产额
摘要:
采用坩埚下降法生长了Dy3+掺杂浓度分别为0.1 mol%、0.2mol%、0.3mol%、2mol%、3mo1%和4mol%的Bi4Si3O12(BSO)晶体.发现高浓度(2mol%以上)掺杂能够显著改变BSO晶体的析晶行为,晶体表面析出物完全消失,顶部呈现光滑结晶面;低浓度(低于0.3mol%)掺杂能够显著提高晶体的光输出,最高可达纯BSO的145%.晶体热释光谱测试结果表明:少量Dy3+掺杂虽然热释光峰略有增强,但有利于晶体光产额的提高;高浓度掺杂则容易引起晶格畸变,甚至产生新的缺陷,降低晶体的光产额.
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过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi4Si3O12晶体闪烁性能的研究
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BSO及Fe、Cr掺杂BSO晶体
闪烁性能
Bi4Ti3O12掺杂BST陶瓷性能和结构的研究
电容器陶瓷
钛酸锶钡
Bi4Ti3O12掺杂
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文献信息
篇名
Dy3+掺杂Bi4Si3O12晶体生长及其热释光特性
来源期刊
无机材料学报
学科
工学
关键词
硅酸铋
晶体生长
Dy3+掺杂
热释光
光产额
年,卷(期)
2016,(10)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1068-1072
页数
5页
分类号
TQ174
字数
3079字
语种
中文
DOI
10.15541/jim20160221
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张彦
上海应用技术大学材料科学与工程学院
14
24
3.0
3.0
2
徐家跃
上海应用技术大学材料科学与工程学院
87
198
6.0
9.0
3
申慧
上海应用技术大学材料科学与工程学院
24
34
3.0
4.0
4
田甜
上海应用技术大学材料科学与工程学院
26
23
3.0
3.0
5
杨波波
上海应用技术大学材料科学与工程学院
12
28
4.0
4.0
6
储耀卿
上海应用技术大学材料科学与工程学院
6
10
2.0
3.0
7
汪美玲
上海应用技术大学材料科学与工程学院
2
5
1.0
2.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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引文网络
引文网络
二级参考文献
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共引文献
(32)
参考文献
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节点文献
引证文献
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同被引文献
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二级引证文献
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参考文献(1)
二级参考文献(1)
1975(1)
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研究主题发展历程
节点文献
硅酸铋
晶体生长
Dy3+掺杂
热释光
光产额
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
无机材料学报
主办单位:
中国科学院上海硅酸盐研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-324X
CN:
31-1363/TQ
开本:
16开
出版地:
上海市定西路1295号
邮发代号:
4-504
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
总被引数(次)
61689
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无机材料学报2016年第6期
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