具有三层复合结构的P型硅外延片制备工艺研究

• 作者: 李明达 李普生 薛兵 陈涛
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 雪崩光电二极管 三层复合结构 P型硅 外延片 过渡区 均匀性
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2789字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.02.008

摘要

对10.16 cm(4英寸)三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究.利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P-/P+/P/P+型硅外延层.通过FT-IR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等测试方法对各层外延的电学参数以及过渡区形貌进行了测试,最终得到结晶质量良好、厚度不均匀性＜3％、电阻率不均匀性＜3％、各界面过渡区形貌陡峭的P型硅外延片,可以满足器件使用的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛兵	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	24	3.0	4.0
2	李明达	中国电子科技集团公司第四十六研究所	21	34	4.0	4.0
3	李普生	中国电子科技集团公司第四十六研究所	9	11	2.0	3.0
4	陈涛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	23	41	4.0	4.0