1200V IGBT的性能优化

• 作者: 李宏
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT FS-IGBT JFET注入 JFET退火 Pring注入 击穿电压 饱和压降
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 2262字
• 语种: 中文

摘要

主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法.理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200VIGBT器件击穿电压和饱和压降的设计要求,重点讨论了FS、JFET注入、延长JFET退火时间和减小Pring注入剂量对IGBT器件击穿电压(BV)和饱和压降(Vdscn)的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳性能参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宏		1	0	0.0	0.0