电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究

• 作者: 何承发 刘元 文林 曾俊哲 李豫东 武大猷 汪朝敏 汪波 郭旗
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷耦合器件 暗信号 低剂量率损伤增强效应 暗场像素统计
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 711-719
• 页数: 9页
• 分类号: TP212.14|TN386.5
• 字数: 3868字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163706.0711

摘要

对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验，通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系，并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明：暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数，电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势；暗场像素灰度值整体抬升，像元之间的差异显著增加；电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性，器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为，剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。