基于光敏BCB工艺的InP基器件性能的研究

• 作者: 丁芃 刘新宇 姚鸿飞 王溪 苏永波 赵华 金智
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: BCB介质工艺 TRL校准件 微带无源器件 毫米波
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 1119-1123
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.10.06

摘要

采用光敏BCB介质工艺制作了InP基TRL校准件和无源器件,研究了这种毫米波片上集成技术.光敏BCB工艺包括三层金属和一层BCB介质.为了验证工艺可行性,采用电磁仿真器设计了TRL校准件和两种无源电路.使用TRL去嵌技术,得到两种无源电路在75～110 GHz内的本征特性.通过比较去嵌后本征特性和仿真结果,发现与仿真结果相比S11/S22的幅度波动小于5 dB,S12/S21的幅度波动小于0.3 dB.仿真结果与去嵌后的本征结果重合度比较好,这进一步说明光学BCB工艺比较适合毫米波校准件的研制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所高频高压中心	141	717	13.0	18.0
2	王溪	中国科学院微电子研究所高频高压中心	27	607	15.0	24.0
3	赵华	中国科学院微电子研究所高频高压中心	42	314	9.0	16.0
4	金智	中国科学院微电子研究所高频高压中心	30	92	5.0	8.0
5	苏永波	中国科学院微电子研究所高频高压中心	10	21	4.0	4.0
6	丁芃	中国科学院微电子研究所高频高压中心	3	7	2.0	2.0
7	姚鸿飞	中国科学院微电子研究所高频高压中心	4	0	0.0	0.0