大功率短波长InAlGaAs/AlGaAs量子点超辐射发光管

• 作者: 李新坤 梁德春 王占国 王飞飞 金鹏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超辐射发光管 自组织量子点 干法刻蚀
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 706-710
• 页数: 5页
• 分类号: TN383
• 字数: 1848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163706.0706

摘要

为了满足超辐射发光管的短波长应用,采用InAlGaAs／AlGaAs量子点有源区和干法刻蚀工艺制备了短波长弯曲波导超辐射发光管。在1.6 A脉冲电流注入下,器件峰值输出功率为29 mW,中心波长为880 nm,光谱半高宽为20.3 nm。比较了干法刻蚀工艺和湿法腐蚀工艺对超辐射发光管器件性能的影响。在1.6 A脉冲电流注入下,湿法腐蚀制备的器件峰值输出功率仅为7 mW。与湿法腐蚀相比,干法刻蚀可以精确控制波导形状和参数,降低波导损耗,有效增大器件输出功率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室低维半导体材料与器件北京市重点实验室	101	701	15.0	23.0
2	李新坤		6	7	2.0	2.0
3	金鹏	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室低维半导体材料与器件北京市重点实验室	29	262	7.0	16.0
4	王飞飞	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室低维半导体材料与器件北京市重点实验室	2	9	2.0	2.0
5	梁德春		2	5	1.0	2.0