铝栅碱性CMP的析氢腐蚀

• 作者: 冯翠月 刘玉岭 牛新环 马欣
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铝栅 化学机械抛光(CMP) 碱性抛光液 表面活性剂 析氢腐蚀
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 483-485,490
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.07.011

摘要

采用碱性抛光液对铝栅进行化学机械抛光(CMP),在pH值大于8.3时会发生析氢反应,表面产生氢气泡,在铝栅表面留下大量蚀坑缺陷,降低平坦化效果,严重影响芯片器件性能的完整性和可靠性.对铝栅在碱性介质CMP条件下的析氢反应机理及控制理论进行了深入探究.通过接触角实验和静态腐蚀实验,并结合金相显微镜观察静态腐蚀后表面状态,发现抛光液中加入FA/O Ⅰ非离子型表面活性剂可有效抑制碱性环境中铝栅CMP析氢腐蚀.通过实验得出,当碱性抛光液中FA/O Ⅰ非离子型表面活性剂的体积分数为1.5％时,抛光液的表面张力最小,接触角最小,抑制析氢腐蚀效果最好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
3	牛新环	河北工业大学电子信息工程学院	69	406	10.0	17.0
5	马欣	河北工业大学电子信息工程学院	2	2	1.0	1.0
13	冯翠月	河北工业大学电子信息工程学院	4	8	2.0	2.0