温度对金属氧化物半导体传感器的影响研究

• 作者: 李世伟 金贵新
• 来源期刊: 现代计算机：中旬刊
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体传感器(MOS) 气体传感器 温度 有毒气体
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 页码范围: 43-45
• 页数: 3页
• 分类号: TP212

摘要

金属氧化物半导体传感器（MOS）既可以用于检测ppm级的有毒气体也可以用于检测百分比浓度的易燃易爆气体,无论是在工业现场的探测器还是在家庭中的报警器都有很广泛的应用。结合金属氧化物半导体传感器在检测有毒气体时温度对检测精度的影响,提出相应的温度补偿算法。实验表明,补偿后的金属氧化物半导体传感器能够实现对有毒气体的准确检测。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李世伟		5	16	2.0	4.0
2	金贵新		4	6	2.0	2.0