用于S波段的高线性低噪声放大器

• 作者: 张志浩 张胜标 章国豪
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 高线性 低噪声 GaAs pHEMT S波段
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 57-61
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2687字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.01.012

摘要

采用E-mode 0.25μm GaAs pHEMT工艺，2.0 mm×2.0 mm 8-pin双侧引脚扁平封装，设计了一款应用于S波段的噪声系数低于0.5 dB的低噪声放大器。通过采用共源共栅结构、有源偏置网络和多重反馈网络等技术改进了电路结构，该放大器具有低噪声，高增益，高线性等特点，是手持终端应用上理想的一款低噪声放大器。测试结果表明在2.3 GHz~2.7 GHz内，增益大于18 dB，输入回波损耗小于-10 dB，输出回波损耗小于-16 dB，输出三阶交调点大于36 dB。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章国豪	广东工业大学信息工程学院	46	100	5.0	7.0
2	张志浩	广东工业大学信息工程学院	10	56	4.0	7.0
3	张胜标	广东工业大学信息工程学院	1	9	1.0	1.0