纳米CMOS电路在单粒子效应下可靠性研究进展

• 作者: 刘保军 刘小强 刘鹤鸣 胡凡俊 蔡理
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子效应(SEE) 可靠性 纳电子器件 抗辐射加固 损伤机理
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 技术论坛
• 页码范围: 1-6
• 分类号: TN432|TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.01.001

摘要

随着特征尺寸的不断缩减,器件结电容减少、工作电压降低,使纳米CMOS电路对单粒子效应(SEE)更加敏感,同时伴随着明显的单粒子串扰、多结点翻转等现象,严重影响其工作可靠性.基于纳米CMOS电路在SEE下的可靠性,从基本电离损伤机理、SEE对电路的影响、可靠性评估及抗辐射加固设计等几个方面分析了最新的研究进展,最后指出了几个未来可能研究的焦点,包括:新材料和新结构器件的SEE研究、CMOS电路的抗辐射加固设计研究,特别是抗单粒子瞬态的加固研究及纳米CMOS电路的单粒子闩锁和烧毁机理、仿真及加固研究等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘保军		24	50	5.0	5.0
3	蔡理	空军工程大学理学院	136	382	8.0	11.0
6	刘小强	空军工程大学理学院	6	21	3.0	4.0
7	胡凡俊		5	10	2.0	3.0
8	刘鹤鸣		3	11	2.0	3.0