退火处理对ZnO薄膜压敏性能的影响

• 作者: 季平 花银群 赵杉月 陈瑞芳
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 ZnO基陶瓷薄膜 射频磁控溅射 退火温度
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 结构薄膜
• 页码范围: 141-145
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.02.04

摘要

采用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上生长ZnO基陶瓷薄膜,分别在650℃,750℃,850℃和900℃下退火,研究了退火温度对ZnO基陶瓷薄膜压敏性能的影响.结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的压敏电压逐渐增大,非线性系数先增大后减小,漏电流密度先减小后增大.850℃退火处理后的薄膜具有较为理想的综合电性能,其非线性系数为14.93,压敏电压为4.82V,漏电流密度为0.36 μA/mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	花银群	江苏大学机械工程学院	66	512	13.0	20.0
2	陈瑞芳	江苏大学机械工程学院	43	413	12.0	19.0
3	季平	江苏大学机械工程学院	3	0	0.0	0.0
4	赵杉月	江苏大学机械工程学院	3	0	0.0	0.0