一种带有失调消除电路的带隙基准设计

• 作者: 张帅 许圣全
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 失调电压 电源抑制比 温度系数 CMOS
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 2700字
• 语种: 中文

摘要

设计一种带有消除失调电压的带隙基准源.采用NEC的0.35 μm 2P2M标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下进行设计和仿真.该电路比传统的带隙基准电路具有更高的精度和稳定性.带隙基准的输出电压为1.274 V,在3～6 V的电源电压范围内基准电压随输入电压的最大偏移为0.4 mV;在-55～125℃的温度范围内,基准电压随温度的变化为4 mV,产生的偏置电流基本上不受电源电压的影响,而与温度成线性关系.该电路以增加芯片功耗和面积为代价,消除失调电压对电路的影响.基准电压电源抑制比可达到85 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张帅		6	9	2.0	2.0
2	许圣全		1	1	1.0	1.0