温度对氧化镓纳米材料形貌及结构性质的影响

• 作者: 李玉国 王玉萍 耿树吉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: β-Ga2O3 纳米线 柱状纳米结构 热蒸发法 反应时间
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 64-68
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.01.012

摘要

利用热蒸发法制备一维β-Ga2 O3纳米材料.不同反应温度下,利用该方法对Ga单质和Au覆盖的Si(111)基片在通氮气的石英管中加热不同时间,制备了β-Ga2 O3纳米材料,并通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和能量色散谱(EDS)对样品进行了分析.结果显示,生成的纳米结构为β-Ga2O3单晶,温度对样品的形貌有显著的影响.1 200℃不同反应时间制备的β-Ga2O3纳米结构多为纳米线、纳米片和纳米颗粒,1 300℃不同反应时间制备的β-Ga2O3纳米结构多为柱状纳米结构.最后,简要讨论了纳米结构的生长机制为气-液-固(VLS)和气-固(VS)共同控制的生长机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉国	山东师范大学物理与电子科学学院	44	186	7.0	11.0
2	耿树吉	山东师范大学物理与电子科学学院	3	4	1.0	2.0
3	王玉萍	山东师范大学物理与电子科学学院	3	7	2.0	2.0