In组分梯度渐变的n-i-p结构InGaN太阳能电池性能研究

• 作者: 李明潮 江明 许福军 陈其工 鲁麟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 太阳能电池 n-i-p结构
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 682-687
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3511字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163706.0682

摘要

为了优化InGaN太阳能电池结构并有效地指导实际电池的制备,研究了n-i-p( p层在下) In组分梯度渐变结构的InGaN太阳能电池的性能特征。通过APSYS软件模拟计算,对比采用p-i-n渐变结构( p层在上)和n-i-p渐变结构( p层在下)的InGaN太阳能电池的器件性能。结果表明,采用n-i-p渐变结构的InGaN电池,i-InGaN层在低In组分下没有明显的优势,而在高In组分下的器件性能较好。在In组分为0.62时,转换效率最高达到8.48%。分析表明,p层在下的n-i-p渐变结构使得InGaN电池的极化电场与耗尽区的内建电场方向一致,有利于载流子的输运。采用n-i-p渐变结构有利于制备高性能的InGaN太阳能电池。