InAs/GaAs量子点中间带太阳电池的理论研究与优化

• 作者: 何右青 唐吉玉 朱永安 潘保瑞 陆旭兵
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 InAs/GaAs量子点 漂移扩散 I-V特性 中间带太阳电池
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 161-164,169
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文

摘要

基于InAs/GaAs量子点中间带太阳电池(QD-IBSC)结构和载流子漂移扩散理论建立了计算电流密度与静电势的数学模型,从理论上分析了量子点中间带太阳电池的电压电流特性,定量讨论了量子点层厚度、温度以及n型掺杂对电压电流特性的影响.模拟结果表明:在i层厚度取400 nm时转化效率达到最大值14.01％;温度会对量子点中间带太阳电池的电压电流特性产生影响,温度在300～350 K范围内,开路电压Voc随温度的升高而明显减小,短路电流Jsc几乎不变;对i区进行n型掺杂会抑制量子点层发挥作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐吉玉	华南师范大学物理与电信工程学院	39	90	5.0	7.0
2	朱永安	华南师范大学物理与电信工程学院	5	14	2.0	3.0
3	潘保瑞	华南师范大学物理与电信工程学院	4	10	2.0	3.0
4	陆旭兵	华南师范大学物理与电信工程学院	6	20	2.0	4.0
5	何右青	华南师范大学物理与电信工程学院	5	1	1.0	1.0