集成电路中MOS管导通电阻测量方法

• 作者: 韩新峰 顾卫民
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: MOS管 导通电阻 测试
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TN307
• 字数: 2683字
• 语种: 中文

摘要

MOS管是一种常见的半导体功率器件,随着半导体产业的不断发展和进步,MOS管的各方面性能也得到大幅度的提高,被广泛应用于开关电源、节能灯、电源转换和电源控制等领域.在功率电路中,MOS作为一种多子功率开关器件,其导通电阻是至关重要的参数之一,会影响到应用电路的稳定性和功耗.因此在集成电路测试中对于MOS管导通电阻的精确测量显得尤为重要.对于MOS管导通电阻的测量做了详细分析,并介绍了两种可以准确测量MOS管导通电阻的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾卫民		4	5	1.0	1.0
2	韩新峰		2	4	1.0	2.0