碳化硅结合氮化硅材料绝缘性能的研究

• 作者: 于兵 刘玉宝 曹永存 赵二雄 陈国华 陈宇昕
• 来源期刊: 稀土
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅结合氮化硅 绝缘性 电解质 熔盐电解
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 149-152
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201603027

摘要

通过碳化硅结合氮化硅室温电阻测试及动态电解过程中绝缘性测试实验.在室温25℃条件下进行电阻测试,结果显示碳化硅结合氮化硅材料在室温下电阻率大于2×108 Ω·cm,具有一定的绝缘性.在1020℃ ～1040℃条件下对材料进行了电解动态实验测试,同时对材料进行成分分析和XRD测试,结果表明在高温、氟盐腐蚀、电场交互作用的条件下绝缘性会随着使用时间延长逐渐降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉宝		5	0	0.0	0.0
2	曹永存		3	0	0.0	0.0
3	陈国华		4	0	0.0	0.0
4	于兵		3	0	0.0	0.0
5	赵二雄		4	0	0.0	0.0
6	陈宇昕		1	0	0.0	0.0