SiC BJT的单电源基极驱动电路研究

• 作者: 张英 徐华娟 王耀洲 秦海鸿 陈乃铭
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 电力电子技术 碳化硅双极型晶体管 定量实验 单电源驱动 阻容网络 低损耗
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 26-31
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 4106字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.01.006

摘要

探究SiC BJT基极驱动电路拓扑，对SiC BJT基极驱动电路损耗的构成进行了分析和对比，提出单基极电阻和阻容网络两种单电源基极驱动方案，对开关速度进行了对比。针对单电源阻容网络驱动方案，对其关键电路参数进行了分析，并针对一款SiC BJT器件给出了优化的参数组合设计结果，实验测试得出驱动1200 V/6 A SiC BJT驱动损耗为3.85 W，该驱动电路优势明显，并具有进一步优化的空间。