Si和6H-SiC衬底上β-FeSi2薄膜的制备

• 作者: 宁耀斌 李留臣 李虹 蒲红斌 陈春兰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: β-FeSi2薄膜 6H-SiC衬底 Si衬底 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 页码范围: 629-632,638
• 页数: 5页
• 分类号: TM23
• 字数: 3399字
• 语种: 中文

摘要

以6H-SiC (0001) Si面和Si(100)为衬底,采用磁控溅射Fe-Si合金靶和Si靶两靶共溅射的方法,并经过后续的快速退火成功制备了β-FeSi2薄膜.通过X射线衍射(XRD)、拉曼(RAMAN)和电子扫描电镜(SEM)研究了不同衬底对薄膜生长过程的影响.结果表明:与Si衬底不同,6H-SiC为衬底所生长的FeSix薄膜与衬底之间很难产生相互扩散,导致薄膜中的Si原子主要来源于靶材.同时分析不同退火温度对6H-SiC衬底和Si衬底上的FeSix薄膜的影响,并相比较.结果表明:不同衬底Si(100)和6H-SiC (0001) Si面所生长的薄膜经900℃退火时皆完全转化为多晶β-FeSi2相,其择优取向皆为(220)/(202),且随温度从500℃到900℃的不断上升,(220)/(202)衍射峰的强度增强,半高宽变小,得到900℃下的半高宽为0.33°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李留臣	西安理工大学自动化与信息工程学院	25	153	8.0	11.0
2	蒲红斌	西安理工大学自动化与信息工程学院	33	119	7.0	9.0
3	李虹	西安理工大学自动化与信息工程学院	13	19	2.0	4.0
4	宁耀斌	西安理工大学自动化与信息工程学院	11	122	6.0	11.0
5	陈春兰	西安理工大学自动化与信息工程学院	4	1	1.0	1.0