980 nm大功率半导体激光器的MOCVD外延生长条件优化

• 作者: 李岩 李建军 邓军 韩军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 MOCVD 量子阱 波导层 生长温度
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 518-523
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.04.014

摘要

为了对980 nm大功率半导体激光器的波导层和有源层外延材料进行快速表征,设计了相应的双异质结(DH)结构和量子阱(QW)结构,并在不同条件下进行了MOCVD外延生长,通过室温荧光谱测试分析,得到Alo.1Ga0.9As波导层的最佳生长温度为675℃,InGaAs QW的最佳长温度为575℃.为了兼顾波导层需高温生长和QW层需低温生长的需求,提出在InGaAsQW附近引入Alo.1Gao.9As薄间隔层的变温停顿生长方法,通过优化间隔层的厚度,InGaAs QW在室温下的PL谱的峰值半高宽只有23 meV.基于优化的外延工艺参数,进行了980 nm大功率半导体激光器的外延生长,并制备了腔长4 mm、条宽95 μm的脊形器件.结果显示,在没有采取任何主动散热情况下,器件在30A注入电流下仍未出现腔面灾变损伤,输出功率达到23.6W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓军	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	57	219	7.0	10.0
2	韩军	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	39	181	7.0	11.0
3	李建军	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	52	234	7.0	12.0
4	李岩	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	8	42	4.0	6.0