生长温度对GaxIn1-xP材料无序度的影响及其应用

• 作者: 尧舜 常晓阳 张奇灵 张小宾 张杨 杨翠柏 王智勇 陈丙振
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaxIn1-xP 无序度 生长温度 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 694-697
• 分类号: O782.9|TB39
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.05.002

摘要

采用金属有机化合物气相外延技术(MOCVD),在Ge衬底上生长GaxIn1-xP外延层,探究不同生长温度对GaxIn1-xP材料的无序生长特性的影响.为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪(XRD)与光致发光测试仪(PL)对外延材料进行测试,并修正由GaxIn1-xP材料组分改变引起的带隙偏移.最终根据实验现象,对实际生产中的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池进行调试,通过提高GaxIn1-xP材料的无序度,电池的Voc提高了34mV,转换效率提升0.5％.