体内和表面复合中心对单晶硅太阳电池电学性能的影响

• 作者: 吴元庆 周涛 张金晶 陆晓东
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 太阳电池 复合中心 内量子效率 暗电流 转换效率
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 新能源电池与材料专题
• 页码范围: 67-71
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 4920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.11.014

摘要

利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了体内和表面复合中心对产业化P型单晶硅太阳电池电学性能的影响.重点分析了当复合中心存在于太阳电池体内和表面时,电池内量子效率、暗电流及转换效率的变化特点.结果表明:对于单晶硅太阳电池,存在体复合中心临界密度(≈1×1013 cm-3)和表面复合中心临界密度(≈1×1012cm-3).当体内和表面复合中心密度分别小于其临界密度时,复合中心对太阳电池内量子效率、暗电流、短路电流密度、开路电压及转换效率的影响较小.但当体内和表面复合中心密度大于其临界密度时,随着体内和表面复合中心密度的增大,太阳电池电学性能随之显著降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周涛	渤海大学新能源学院	59	88	4.0	6.0
2	陆晓东	渤海大学新能源学院	76	99	4.0	6.0
3	吴元庆	渤海大学新能源学院	48	41	3.0	4.0
4	张金晶	渤海大学新能源学院	12	5	1.0	1.0