GaN基LED高能电子束流辐照效应研究

• 作者: 于莉媛 党宏社 刘超 吴英蕾 夏经铠 安广朋 朱纳 杨洁 王志刚 钱森 马毅超 高峰
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高能电子辐照 GaN 发光二极管 光电学性能
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 核物理、交叉学科研究
• 页码范围: 120503-1-120503-5
• 页数: 1页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2609字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2016.hjs.39.120503

摘要

使用高能电子辐照对GaN基蓝光发光二极管(Light Emitting Diode, LED)光电学性能的影响进行研究。高能电子束流分别对不同组别的 LED 样品进行辐照实验，并通过自动测控系统对辐照过程中 LED 的电流、光强、光谱峰值波长进行全程测控。随后，在室温无辐照环境下对上述不同组别的LED样品进行跟踪对比测试研究。实验结果表明，高能辐照对LED的改性有明显效果，具体表现在工作电流和发光功率变化时受辐照影响的稳定性有所改善，光谱峰值波长出现蓝移。同时，GaN基LED在辐照过程中是否通电对LED的光电学性能有显著影响。