SiC MOSFET体二极管反向恢复特性研究

• 作者: 史孟 彭咏龙 李亚斌 江涛
• 来源期刊: 电力科学与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅MOSFET 体二极管 反向恢复
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 页码范围: 34-39
• 页数: 6页
• 分类号: TM20
• 字数: 3502字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-0792.2016.09.007

摘要

详细分析了新型功率器件SiC MOSFET的结构特点及其寄生体二极管的反向恢复机理，推导了反向恢复过程的电压与电流计算；同时，搭建了双脉冲实验测试平台，通过实验和仿真的方法，测试了不同关断电压、正向导通电流和串联寄生电感这些最常见的外部因素对SiC MOSFET寄生体二极管反向恢复特性的影响；此外，对比测试了同电压等级的SiC MOSFET、 Si MOSFET寄生体二极管和快恢复二极管的反向恢复性能。相关结果表明SiC MOSFET寄生体二极管可以作为变换器中的续流通道而不必额外再单独反并联快恢复二极管，对实际工程应用有一定的借鉴意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭咏龙	华北电力大学电气与电子工程学院	85	846	17.0	25.0
2	李亚斌	华北电力大学电气与电子工程学院	64	580	13.0	21.0
3	史孟	华北电力大学电气与电子工程学院	6	20	2.0	4.0
4	江涛	华北电力大学电气与电子工程学院	5	20	2.0	4.0