Tb在BaTiO3陶瓷中的自补偿模式探索及介电性质

• 作者: 彭研焱 路大勇
• 来源期刊: 吉林化工学院学报
• 学科: 化学
• 关键词: 铽掺杂钛酸钡 自补偿模式 点缺陷 电子顺磁共振 介电性质
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: O614.23
• 字数: 2151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16039/j.cnki.cn22-1249.2016.01.014

摘要

探索(Ba1xTbx)(Ti1-xTbx)O3(x =0.05)陶瓷(BTTT5)的自补偿模式及介电性质.结果表明:BTTT5具有单相四方钙钛矿结构.Tb离子以Ba位Tb3+和Ti位Tb4+的混合价形式存在,TbBa3+-TbTi3+缺陷复合体的自补偿模式不能形成,且Ba空位和Ti空位缺陷共存.对BTTT5实现了介电温度稳定的X5S指标,并显示极低的介电损耗(tanδ＜0.02),是一个有前途的介电材料.