应变速率对SiC拉伸行为影响的分子动力学模拟

• 作者: 孟松鹤 李金平 田爽 秦丽媛
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 应变率 拉伸行为 分子动力学
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 550-553
• 页数: 4页
• 分类号: O733
• 语种: 中文
• DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2016.04.13

摘要

采用分子动力学方法对SiC单晶应变率敏感性及其失效机理进行了研究.模拟了室温下不同应变速率对立方SiC单晶[001]方向的拉伸行为的影响.当应变速率在0.01～10ps-1时,拉伸强度随应变速率的提高而增加.拉伸过程中SiC晶体发生非晶转变导致强度提高.当应变率低于0.01 ps-1时,晶体在(111)面上发生破坏,强度趋于71.4 GPa.应变率大于10ps-1时,晶体强度达到243 GPa,并未发生非晶转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟松鹤	哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所	137	1793	22.0	36.0
2	李金平	哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所	30	175	7.0	11.0
3	秦丽媛	哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所	3	5	2.0	2.0
4	田爽	哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所	4	12	2.0	3.0