电化学沉积锰修饰TiO2纳米管阵列的正交试验研究

• 作者: 冯具平 司玉军 李敏娇 熊中平
• 来源期刊: 钢铁钒钛
• 学科: 工学
• 关键词: TiO2 纳米管阵列 锰修饰 电化学沉积 光电响应
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 钒钛材料与应用
• 页码范围: 51-55
• 分类号: TF823|TB333
• 语种: 中文
• DOI: 10.7513/j.issn.1004-7638.2016.01.011

摘要

用阳极氧化法在钛片表面制备空白TiO2纳米管阵列,用电化学阴极还原法在其表面沉积锰,通过正交试验考察沉积条件对锰修饰TiO2纳米管阵列光电响应的影响.结果表明,锰的表面修饰可以增强TiO2纳米管阵列对可见光的响应,在0.5 V(vs.SCE)的偏电压下,光电流显著增大.沉积时间和沉积电压是影响锰沉积的主要因素,锰沉积的最佳条件为:沉积时间30 s、电压-2 V、锰离子浓度10 mmol/L.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李敏娇	绿色催化四川省高校重点实验室四川理工学院化学与制药工程学院	7	4	1.0	2.0
2	熊中平	绿色催化四川省高校重点实验室四川理工学院化学与制药工程学院	4	0	0.0	0.0
3	司玉军	绿色催化四川省高校重点实验室四川理工学院化学与制药工程学院	4	0	0.0	0.0
4	冯具平	绿色催化四川省高校重点实验室四川理工学院化学与制药工程学院	1	0	0.0	0.0