多组分掺杂ZnO薄膜的微观结构及电学性能研究

• 作者: 刘伟 季平 花银群 赵杉月
• 来源期刊: 化工新型材料
• 关键词: ZnO薄膜 多组分掺杂 射频磁控溅射 衬底温度 氧分压 电学性质
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 科学研究
• 页码范围: 145-147
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上制备多组分掺杂ZnO薄膜,研究了衬底温度和氧分压对Bi、Cr、Sb、Mn和Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及电学性能的影响.结果表明:随着衬底温度的升高,ZnO(002)衍射峰相对强度先增强后减弱;薄膜表面粗裢度先减小后增大.随着氧分压的增大,ZnO的(101)、(102)和(103)衍射峰消失,薄膜呈优异的(002)择优取向生长.在衬底温度为300℃、氧分压为50％时,Bi、Cr、Sb、Mn和Co所引起的缺陷和氧过剩引起的本征缺陷,共同形成受主态的复合缺陷,导致晶界势垒激增.此时,薄膜有最优化的压敏电压、非线性常数和漏电流,分别达到7.05V、20.83和0.58μA/mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	花银群		66	512	13.0	20.0
2	刘伟		79	528	12.0	19.0
3	季平		3	0	0.0	0.0
4	赵杉月		3	0	0.0	0.0