低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究

• 作者: 于保宁 李影智 王凯 赵康康 邢艳辉 郭立建 韩军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 p型GaN Delta掺杂 低源流量 金属有机物化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 229-231,237
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN:Mg薄膜.首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46 cm3/min的CP2 Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高空穴浓度,为8.73×1017 cm-3,(002)和(102)面FWHM分别为245和316 arcsec.随后,采用XRD、Hall测试、PL以及AFM研究了在生长过程中加入生长停顿对Delta掺杂p型GaN材料特性的影响,发现加入生长停顿后,样品电学特性、光学特性和晶体质量并未得到改善,反而下降.