基于硅衬底静电感应晶体管器件仿真与研究

• 作者: 王富强 瞿宜斌 马行空
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 静电感应晶体管 沟道势垒 器件仿真
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 2232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2016.04.004

摘要

针对静电感应晶体管理论研究迟滞于实践过程,文中利用软件Silvaco rcad,从器件仿真入手,对影响硅基表面栅静电感应晶体管器件电学性能进行了理论研究.仿真得到了反偏栅压约为0V、漏电压＜20V时,器件表现类五极管饱和特性曲线,器件电流约为10-5 A,此时沟道状态为预夹断.当反偏栅压为-1.5V、漏电压逐渐增大到300 V时,器件表现为类三极管不饱和特性曲线,器件电流约为10-6A,此时沟道状态为完全夹断,研究结果静电感应晶体管工艺实践提供了参考.