L 频段宽带 GaN 芯片高功率放大器设计

• 作者: 刘彦北 张忍
• 来源期刊: 电子测量技术
• 学科: 工学
• 关键词: 射频功率放大器 匹配网络 附加效率 氮化镓(GaN)
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 【研究与设计】
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN722
• 字数: 2757字
• 语种: 中文

摘要

针对当前无线通信系统中射频功率放大器工作带宽窄、输出功率和附加效率低的缺点，本文基于 CREE 公司的 GaN 功率管设计了一款新型的 L 频段宽带大功率射频功率放大器。用源牵引和负载牵引技术测得工作频段内最佳输入输出阻抗，再通过集总参数元件与微带线结合的方法设计宽带匹配网络，并对放大器功率、效率以及谐波分量等指标进行测试。测试数据表明，当放大器工作在 L 频段300 MHz 带宽内(相对工作带宽为27.7%)，输入功率为34 dBm的连续波(CW)时，其输出功率可达50.4 dBm(108 W)，附加效率不低于48%，平坦度为±0.1 dB。因此，本文设计的 GaN 射频宽带功率放大器具有带宽宽、效率高、功率大的特点，具备应用价值。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彦北	天津大学电子信息工程学院	3	5	2.0	2.0
2	张忍	天津大学电子信息工程学院	1	1	1.0	1.0