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摘要:
研究了多层Ti/Al结构电极对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响.采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量,采用扫描电子显微镜对电极表面形态进行扫描.实验结果显示,在同样的退火条件下,随着Ti/Al层数的增加,比接触电阻率逐渐减小,表面形态趋于光滑;降低Ti/Al层的厚度会加剧Au向内扩散而增加比接触电阻率,但能稍微改善表面形态;Ti比例过高会影响TiN的形成导致比接触电阻率增加,但能明显改善表面形态.
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文献信息
篇名 多层Ti/Al电极结构对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性的影响
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 高电子迁移率晶体管 欧姆接触 退火 比接触电阻率
年,卷(期) 2016,(2) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 219-223
页数 5页 分类号 TN386.3
字数 2458字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20163702.0219
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研究主题发展历程
节点文献
高电子迁移率晶体管
欧姆接触
退火
比接触电阻率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
总被引数(次)
29396
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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