硅对镉胁迫下烟草光合作用的影响

• 作者: 唐莉娜 李延 李荟星 罗丽娟 郑明瑜 陈星峰
• 来源期刊: 烟草科技
• 学科: 农学
• 关键词: 烟草 镉胁迫 硅 光合作用
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 烟草农学
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: S572.01
• 字数: 5450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16135/j.issn1002-0861.2016.0252

摘要

为研究硅对镉胁迫下烟草光合作用的影响，以云烟87为试验材料，以CdCl2·2.5H2O为镉源，K2SiO3为硅源，用KNO3和HNO3消除因添加K2SiO3而带来营养液pH和K+升高的影响，设置5个处理的水培试验：对照（CK）、0.05 mmol·L-1 Cd2+（Cd0.05）、0.10 mmol·L-1 Cd2+（Cd0.10）、0.05 mmol·L-1 Cd2++1.00 mmol·L-1 SiO2（Cd0.05+Si）、0.10 mmol·L-1 Cd2++1.00 mmol·L-1 SiO2（Cd0.10+Si）。结果表明，Cd0.05和Cd0.10处理能明显降低烟株的高度，减少烟株的叶面积和生物量，净光合作用速率分别较CK下降52.02%和73.75%，差异极显著。硅可缓解镉胁迫对烟草的毒害作用，与Cd0.05和Cd0.10处理比较，Cd0.05+Si和Cd0.10+Si处理的气孔导度分别升高259.90%和13.29%，叶绿素含量分别增加43.47%和92.33%，净光合速率分别提高99.90%和72.78%。施硅能提高镉胁迫下烟草的表观量子效率和羧化效率。相关分析表明，烟草净光合作用速率与叶绿体中的镉含量存在显著负相关，而施硅能降低烟草叶绿体中的镉含量，这是硅提高镉胁迫下烟草光合作用的重要原因之一。