高效InGaN/AlInGaN发光二极管的结构设计及其理论研究

• 作者: 宿世臣 张红艳 王佳 裴磊磊 赵灵智
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 发光二极管 效率下降
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 208-212
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4|TN383
• 字数: 1188字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163702.0208

摘要

利用Advanced Physical Models of Semiconductor Devices (APSYS)理论对比研究了InGaN/AlInGaN和InGaN/GaN多量子阱作为有源层的InGaN基发光二极管的结构和电学特性.与InGaN/GaN基LED中GaN作为垒层材料相比,在AlInGaN材料体系中,通过调节AlInGaN中Al和In的组分可以优化器件的性能.当InGaN阱层材料中In组分为8％时,可以实现无应力的Ino.08 Ga0.92 N/AlInGaN基LED.在这种无应力结构中可以进一步降低大功率LED的“效率下降”(Effciency droop)问题.理论模拟结果显示,四元系AlInGaN作为垒层可以进一步减少载流子泄露,增加空穴注入效率,减少极化场对器件性能的影响.在Ino.08 Ga0.92 N/AlInGaN量子阱中的载流子浓度、有源层的辐射复合率、电流特性曲线和内量子效率等方面都优于InGaN/GaN基LED.无应变AlInGaN垒层代替传统的GaN垒层后,能够得到高效的发光二极管,并且大电流注入下的“效率滚降”问题得到改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵灵智	华南师范大学光电子材料与技术研究所	38	573	11.0	23.0
2	宿世臣	华南师范大学光电子材料与技术研究所	10	25	3.0	5.0
3	裴磊磊	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	7	1.0	1.0
4	张红艳	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	7	1.0	1.0
5	王佳	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	7	1.0	1.0