垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响

• 作者: 丁杰 刘军林 吴小明 张建立 徐龙权 潘拴 王光绪 陶喜霞 高江东
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: LED 硅衬底 GaN 垒温 外量子效率
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 202-207
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4|TN383+.1
• 字数: 2390字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163702.0202

摘要

用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率(EQE)随垒温的变化关系.结果表明,在860 ～915℃范围内,发光效率随着垒温的上升而上升.当垒温超过915℃后,发光效率大幅下降.这一EL特性与X光双晶衍射和二次离子质谱所获得的阱垒界面陡峭程度有明显的对应关系,界面越陡峭则发光效率越高.垒温过高使界面变差的原因归结为阱垒界面的原子扩散.垒温偏低使界面变差的原因归结为垒对前一个量子阱界面的修复作用和为后一个量子阱提供台阶流界面的能力偏弱.外延生长时的最佳垒温范围为895 ～915℃.