5nm生产线的挑战

• 作者: 莫大康
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 5nm EUV光刻 finFET 纳米线FET
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TN401|TN405
• 字数: 4075字
• 语种: 中文

摘要

集成电路芯片的制造技术已经进入16/14nm时代，10nm甚至7nm时基本上可以使用现在同样的制造设备，似乎已无悬念。业界普遍认为5nm肯定是个坎，如果EUV光刻设备不能准备好，逼迫要采用五次图形曝光技术(FP)。另一方面，晶体管结构的创新和半导体材料的创新、互连技术与工艺控制技术都是5nm工艺将面临的关键点。