基于光子晶体渐变型双异构微腔的掺铒硅光致发光研究

• 作者: 吴远大 安俊明 王玥 胡雄伟
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 光子晶体 微腔 光致发光 稀土掺杂
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 467-471
• 分类号: TN383.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.04.003

摘要

实验验证了室温下二维氧化物下包层非对称平板三角晶格光子晶体渐变型双异构微腔对绝缘体上硅(SOI)基片上铒氧共掺硅材料的显著发光增强作用.在波长为488 nm、功率为15 mW激光激发下,微腔的光致发光(PL)谱呈现出一个位于1 557.93 nm通信波长处的尖锐狭窄的发光峰,相比于无光子晶体区域,发光增强了约13倍.谐振峰随光泵浦功率增加,发生明显的红移,Q值逐渐下降,在1.5mW光泵浦功率下,Q值达6 655.微腔谐振波长与光子晶体晶格周期之间呈线性正比关系,通过调整晶格周期,实现了掺铒硅发光增强峰波长的灵活可控.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玥	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	79	544	8.0	22.0
2	吴远大	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	25	34	3.0	4.0
3	安俊明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	45	77	5.0	6.0
4	胡雄伟	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	41	134	6.0	9.0