AOS推出45V耐抗雪崩MOSFET：AON6152

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET AOS 功率半导体 雪崩 N沟道 供应商 Vgs 芯片
• 年，卷（期）: bdtxx_2016,（5）
• 页码范围: 9-9
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

功率半导体及芯片供应商AOS万国半导体推出业界第一个单N沟道45VMOSFET：AON6152，在10V Vgs时Rdson可达到超低1．15mohm。