Cu互连中V、V-N和V/V-N薄膜的扩散阻挡性能

• 作者: 刘兴军 卢勇 张锦彬 戴拖 施展 王翠萍
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 扩散阻挡层 阻挡性能 堆栈结构 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 810-814
• 页数: 5页
• 分类号: O644
• 字数: 2873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6043/j.issn.0438-0479.201604011

摘要

采用磁控溅射法在 Si(100)基板上沉积厚度为50 nm的 V、V-N和 V/V-N 扩散阻挡层，并在扩散阻挡层上制备了厚度为300 nm的Cu薄膜，最终获得了 Cu/V/Si、Cu/V-N/Si 和 Cu/V/V-N/Si 3种多层薄膜。薄膜样品在300~750℃真空热处理1 h后，通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)和四探针电阻测试(FPP)仪对薄膜样品的晶体结构、微观组织形貌和方块电阻进行测试表征，对比分析了 V、V-N 和 V/V-N3种扩散阻挡层的扩散阻挡性能。实验结果表明：V、V-N和 V/V-N扩散阻挡层均能够有效阻挡Cu原子向Si基板的扩散；Cu/V/Si和Cu/V-N/Si薄膜样品分别在600和650℃时能够保持良好的热稳定性；Cu/V/V-N/Si多层薄膜中由于堆栈结构的存在，样品在700℃还具有良好的热稳定性，表明堆栈结构的 V/V-N是一种较理想的扩散阻挡层。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘兴军	厦门大学材料学院	37	119	6.0	9.0
2	王翠萍	厦门大学材料学院	32	107	6.0	9.0
3	施展	厦门大学材料学院	10	37	3.0	6.0
4	卢勇	厦门大学材料学院	11	6	1.0	2.0
5	张锦彬	厦门大学材料学院	4	4	1.0	2.0
6	戴拖	厦门大学材料学院	1	0	0.0	0.0