N/B掺杂石墨烯的光学与电学性质?

• 作者: 党忠 崔真 柯熙政 禹忠
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 石墨烯 N/B掺杂 光学与电学性质
• 年，卷（期）: 2016,（24）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 248103-1-248103-12
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.248103

摘要

石墨烯因其独特的化学成键结构而拥有出色的化学、热学、机械、电学、光学特性。由于石墨烯为零带隙材料，限制了其在纳电子学领域的发展。因此，为了拓宽石墨烯的应用范围，研究打开石墨烯带隙的方法显得尤为重要。本文构建了本征石墨烯、N掺杂石墨烯、B掺杂石墨烯三种模型，研究了本征石墨烯和不同掺杂浓度下的N/B掺杂石墨烯的能带结构、电子态密度及光学与电学性质，包括吸收谱、反射谱、折射率、电导率和介电函数等。研究结果显示：1)本征石墨烯费米能级附近的电子态主要是由C-2p轨道形成，而N/B掺杂石墨烯费米能级附近的电子态主要是由C-2p和N-2p/B-2p轨道杂化形成；2) N/B掺杂可以引起石墨烯费米能级、光学与电学性质的改变，且使狄拉克锥消失，进而打开石墨烯带隙；3) N/B掺杂可以引起石墨烯光学和电学性质的变化，且对吸收谱、反射谱、折射率、介电函数影响较大，而对电导率影响较小。本文的结论可为石墨烯在光电子器件中的应用提供理论依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯熙政	西安理工大学自动化与信息工程学院	317	2745	24.0	36.0
2	禹忠	西安理工大学自动化与信息工程学院	3	8	1.0	2.0
3	党忠	西安理工大学自动化与信息工程学院	1	8	1.0	1.0
4	崔真	西安理工大学自动化与信息工程学院	5	11	2.0	3.0