SOI基PLC型阵列波导光栅与可调光衰减器单片集成

• 作者: 吴远大 安俊明 王玥 胡雄伟 袁配
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 阵列波导光栅 可调光衰减器 波分复用 绝缘体上硅 平面光波回路
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 477-481
• 分类号: TN256
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.04.005

摘要

制作了基于绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)材料的8×16通道的阵列波导光栅(Arrayed Waveguide Grating,AWG)与电吸收型可调光衰减器(Variable OpticalAttenuator,VOA)的单片集成器件,其信道间隔为200 GHz.该集成器件采用脊形波导结构,其截面尺寸为亚微米级,整体尺寸为2.9 mm×1 mm.该VMUX器件的片上损耗为9.324～10.048 dB,串扰为6.5～8.2 dB;在20 dB衰减下,单通道最大功耗为87.98 mW;最大信道偏振相关损耗(Polarization Dependent Loss,PDL)为0.461 dB,16通道的衰减一致性为0.245 dB.该器件能够实现良好的波分复用/解复用及信道功率均衡的功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玥	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	79	544	8.0	22.0
2	吴远大	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	25	34	3.0	4.0
3	安俊明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	45	77	5.0	6.0
4	胡雄伟	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	41	134	6.0	9.0
5	袁配		2	2	1.0	1.0