等径角挤压和单向轧制高纯Al结晶晶界面的取向分布

• 作者: 戴品强 林燕 林琛 王乾廷 王卫国 陈吉湘
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高纯Al 等径角挤压 单向轧制 再结晶 晶界面分布
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 473-483
• 页数: 11页
• 分类号: TG113
• 语种: 中文
• DOI: 10.11900/0412.1961.2015.00406

摘要

选用经多向锻造和再结晶退火的晶粒组织均匀(平均晶粒尺寸为20 μm)且取向均匀的高纯Al (99.99％)为原料,将2组平行样品分别进行等效应变ε≈2的等径角挤压(ECAP)和单向轧制(DR)变形后,再经360℃再结晶退火8～90 min,利用基于体视学原理和电子背散射衍射技术(EBSD)的五参数分析法(FPA)对比研究了不同变形方式对高纯Al退火再结晶晶界面取向分布的影响.结果表明,经变形及360℃退火后,2组样品中其再结晶晶界面主要取向于低能稳定的{111},并主要对应于以<111>为转轴的大角度扭转晶界.ECAP与DR样品退火后的主要差异在于,前者再结晶晶界面取向于{111}的过程较迟缓;后者再结晶晶界面比较容易取向于{111}.分析指出,DR变形更容易使高纯Al再结晶晶面取向于低能稳定的{111},更有益于晶界特征分布的优化.这与DR变形形成的<110>//ND织构导致其再结晶退火过程中晶粒容易长大有关.