基于ARM的大容量NAND FLASH应用

• 作者: 管雪元 高杨
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: ARM处理器 片选 大容量存储 NAND闪存
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 嵌入式技术
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: TN710-34|TP333
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2016.02.018

摘要

针对基于ARM的大容量NAND FLASH应用中的问题进行研究,发现ARM的可变静态存储控制器模块只有2个NAND FLASH片选引脚,无法直接提供大容量NAND FLASH所需的4个片选信号;NAND FLASH存储以页为单位,对于不足1页的数据无法进行存储.通过对ARM的引脚复用功能和NAND FLAS H的工作特点进行研究,提出了自定义NAND FLASH片选信号解决片选不足,通过对数据进行填充解决不足1页的数据无法存储的问题.最终通过实验进行验证,保证了基于ARM的大容量NAND FLASH可以充分有效的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	管雪元	南京理工大学瞬态物理国家重点实验室	23	138	7.0	10.0
2	高杨	南京理工大学瞬态物理国家重点实验室	1	4	1.0	1.0