原文服务方: 自动化与仪表       
摘要:
该文首先介绍了SOI压阻式压力传感器的基本原理;其次,通过敏感芯片制备工艺、芯体的封装工艺、智能化温度补偿技术等方面的研究,设计了基于MEMS的SOI宽温区微型智能压力传感器的工艺技术;第三,详细介绍南京盛业达公司研制SOI宽温区微型智能压力传感器的结构和性能.结果表明,该产品具有宽温度工作范围、精度高、稳定性好、结构紧凑、外形美观等优良特性.
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文献信息
篇名 SOI宽温区微型智能压力传感器的设计与实现
来源期刊 自动化与仪表 学科
关键词 硅氧化物绝缘体 宽温区 压力传感器 工艺研究 结构性能
年,卷(期) 2016,(12) 所属期刊栏目 仪器仪表装置
研究方向 页码范围 18-22
页数 5页 分类号 TP212
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高峰 1 1 1.0 1.0
2 赵建立 1 1 1.0 1.0
3 李静文 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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硅氧化物绝缘体
宽温区
压力传感器
工艺研究
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
自动化与仪表
月刊
1001-9944
12-1148/TP
大16开
1981-01-01
chi
出版文献量(篇)
3994
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