GenMn(n≤8)团簇的电子结构与磁性的密度泛函理论研究

• 作者: 吕瑾 杨金香 白熙 高慧
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 密度泛函理论 GenMn团簇 电子结构 磁性
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 团簇与纳米结构
• 页码范围: 463-469
• 页数: 7页
• 分类号: O641.12+1
• 字数: 3698字
• 语种: 中文
• DOI: 103969/j.issn.1000-0364.2016.06.015

摘要

采用密度泛函理论下广义梯度近似方法,对Mn掺杂Ge基半导体团簇GenMn(n≤8)的结构与磁性进行了理论研究.结果表明:GenMn(n≤8)的最稳定构型与相应的Gen+1团簇相似.Mn掺杂后团簇的原子平均结合能与纯锗团簇比较近似;能量二次差分表明:Ge3Mn和Ge5 Mn团簇较相邻团簇表现出较高的稳定性;当n=l,3和6时,HMO-LUMO能隙较大,n=2时,能隙较小,说明GeMn、Ge3Mn和Ge6 Mn具有相对较好的化学稳定性,而Ge2Mn具有较高的化学活性.对GenMn(n≤8)团簇的磁性研究发现,除Ge8Mn的总磁矩为1μB外,其他团簇的总磁矩均为3μB,且团簇的磁性主要来源于Mn原子.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕瑾	山西师范大学化学与材料科学学院	12	42	4.0	6.0
2	高慧	长治医学院药学系	10	29	3.0	5.0
3	杨金香	长治医学院药学系	54	133	6.0	9.0
4	白熙	长治医学院药学系	8	22	2.0	4.0