HTRB试验方法及现象研究

• 作者: 何延强 刘钺杨 温家良 王耀华 董少华 金锐
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: HTRB 试验方法 FRD 正向导通压降 漏电流
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 理论研究
• 页码范围: 1200-1203
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 3234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2016.12.008

摘要

在电力系统、轨道交通等高压应用领域,绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)及快恢复二极管(fast recovery diode,FRD)一般通过反并联的方式结合,一起工作在高压、高频等比较严苛的条件下,这要求器件具有比较高的可靠性.本文主要研究对于高压IGBT/FRD器件来说必要的老炼试验:高温反偏试验(high temperature reverse bias,HTRB).首先介绍了HTRB试验的条件、具体的实施方法及考核过程中需要注意的事项,接下来选取FRD器件为例分析了HTRB过程中易出现的现象及相关机理.在进行HTRB考核时需要注意的问题是:在进行HTRB测试前需要先对器件的热阻进行测试,HTRB考核过程中施加的电压应力应加在器件承受高压的两极上;考核时间、失效判据需要根据器件的实际应用来合理选择;利用阿伦纽斯模型结合HTRB考核结果可以预测器件的寿命.HTRB引起的试验现象一般有导通压降及漏电流的变化等,可能的原因包括器件的特殊工艺、封装水汽、可动离子等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金锐		12	76	3.0	8.0
2	王耀华		5	10	2.0	3.0
3	温家良		7	11	2.0	3.0
4	董少华		3	4	1.0	2.0
5	刘钺杨		2	4	1.0	2.0
6	何延强		2	4	1.0	2.0